Исследователи из Университета штата Пенсильвания разработали чип из нитрида галлия, способный работать при температуре 800 °C
Два полупроводника — карбид кремния и нитрид галлия — соперничают в (в буквальном смысле) жаркой борьбе за создание схем, способных работать при самых высоких температурах. Карбид кремния лидировал, работая при температуре 600 °C. Но нитрид галлия, обладающий уникальными свойствами, которые делают его более функциональным при высоких температурах, теперь превзошёл SiC.
Эта разработка может иметь решающее значение для будущих космических зондов, реактивных двигателей, фармацевтических процессов и множества других областей применения, где требуются схемы, способные работать в экстремальных условиях. е систем, о которых ещё никто даже не задумывался.
Способность карбида кремния и нитрида галлия работать в таких экстремальных условиях обусловлена их широкой запрещённой зоной. Это энергетический зазор между валентными зонами материалов, где электроны связаны с молекулой, и зоной проводимости, где они могут свободно участвовать в передаче электричества. При высоких температурах электроны в материалах с более узкой запрещённой зоной всегда достаточно возбуждены, чтобы достичь зоны проводимости. Это создаёт проблему для транзисторов, поскольку они не могут выключиться. Из-за широкой запрещённой зоны карбида кремния и нитрида галлия для возбуждения электронов в зоне проводимости требуется больше энергии, поэтому транзисторы не включаются самопроизвольно при высоких температурах.
Нитрид галлия также обладает уникальными свойствами по сравнению с карбидом кремния, что позволяет лучше работать в условиях высоких температур. Чип, разработанный исследователями, состоит из так называемых нитрид-галлиевых транзисторов с высокой подвижностью электронов (HEMT). Структура GaN HEMT включает в себя плёнку из нитрида алюминия и галлия, расположенную поверх слоя нитрида галлия. Эта структура направляет электроны к границе раздела двух материалов.
Этот слой электронов, называемый двумерным электронным газом (2DEG), отличается высокой концентрацией и перемещается с небольшим сопротивлением. Это означает, что в 2DEG заряд перемещается гораздо быстрее, что позволяет транзистору быстрее реагировать на изменения напряжения и переключаться между включённым и выключенным состояниями. Более быстрое перемещение электронов также позволяет транзистору пропускать больший ток при заданном напряжении. Двумерный электронный газ сложнее получить из карбида кремния, поэтому его чипам сложнее достичь производительности устройств на основе нитрида галлия.
Чтобы заставить GaN HEMT работать при температуре 800 °C, пришлось внести некоторые изменения в его структуру, объясняют исследователи. Некоторые из этих мер были направлены на минимизацию тока утечки — заряда, который просачивается даже тогда, когда транзистор должен быть выключен. Они добились этого, используя тантал силицидный барьер для защиты компонентов устройства от воздействия окружающей среды и предотвращая соприкосновение внешнего слоя металла по бокам устройства с 2D-электронной газом, что привело бы к дальнейшему увеличению тока утечки и нестабильности транзистора.
Компания Micron сообщила о выпуске первых в индустрии 256-гигабитных чипов SLC NAND для работы в условиях космоса. Эти микросхемы устойчивы к радиации, низким температурам и вакууму. Подобную память никто в мире больше не производит. По крайней мере, в промышленных масштабах. Новые чипы имеют высочайшую в своём классе плотность и позже будут дополнены «космическими» чипами памяти NAND, NOR и DRAM.
Представленные Micron чипы были испытаны по протоколам NASA PEM-INST-001 Level 2 flow и военному стандарту США MIL-STD-883 TM1019 condition D. В первом случае была проведена годичная проверка компонентов, включая циклирование при экстремальных температурах, 590 часов проверок дефектов и динамическую проверку надёжности для обеспечения возможности космических полетов, на устойчивость к дозам ионизирующего излучения, и испытание на воздействие единичного события (SEE).
В России разработан первый отечественный сим-чип для мониторинга транспорта, идентификации беспилотников и подачи сигнала SOS.
Соответствующая разработка АО "ГЛОНАСС" была зарегистрирована 4 июня в реестре радиоэлектронной продукции Минпромторга РФ
Данные с устройств будут передаваться в региональные и муниципальные информационные системы, что исключит риски взлома и зависимость от зарубежных технологий.
Микросхема, аналогичная сим-карте, будет использоваться в устройствах для вызова экстренных служб, спутниковой навигации и трекерах для различных видов транспорта, включая беспилотники.
Сегодня у нашей компании День рождения!
Нам исполняется 11 лет!
День рождения фирмы - это очередная годовщина нашей совместной работы.
Поэтому желаем нашей компании дальнейшего процветания и стабильности.
Всем коллегам - здоровья, сил, благополучия, достатка и тепла, самореализации и успеха в работе.
С нашим общим праздником!
Ученые из Всероссийского федерального ядерного центра "Всероссийский научно-исследовательский институт экспериментальной физики" (ФГУП "РФЯЦ - ВНИИЭФ") придумали устройство экстренного уничтожения микросхем памяти.
Изобретение относится к области защиты информации от несанкционированного доступа путем уничтожения носителя данных, говорится в описании к патенту. Само устройство, которое предлагается располагать на защищаемой микросхеме, состоит из герметичного корпуса, в котором размещается заряд, выполненный из пиротехнического состава, и инициирующий элемент, содержащий токоведущие электроды с мостиком накаливания. При подаче на электроды электрического сигнала на уничтожение мостик нагревается, воспламеняя заряд, вследствие чего образуется большое количество газообразных продуктов горения. Эти раскаленные газы, в свою очередь, разрывают герметичный корпус и буквально выжигают микросхему.