
Индуктивности и дроссели SMD-исполнения
4269 позиций
Чип индуктивность многослойная неэкранированная 18нГн 5% 100МГц 8Q-Factor Ceramic 300мА 360мОм п...
Чип индуктивность многослойная неэкранированная 1нГн ±0.3нГн 100МГц 8Q-Factor Ceramic 1A 70мОм по по...
Чип индуктивность многослойная неэкранированная 1.1нГн ±0.3нГн 100МГц 8Q-Factor Ceramic 1A 70мОм по ...
Чип индуктивность многослойная неэкранированная 1.2нГн ±0.3нГн 100МГц 8Q-Factor Ceramic 1A 70мОм по ...
Чип индуктивность многослойная неэкранированная 1.3нГн ±0.3нГн 100МГц 8Q-Factor Ceramic 1A 70мОм по ...
Чип индуктивность многослойная неэкранированная 1.5нГн ±0.3нГн 100МГц 8Q-Factor Ceramic 1A 70мОм по ...
Чип индуктивность многослойная неэкранированная 1.8нГн ±0.3нГн 100МГц 8Q-Factor Ceramic 0.95A 80мОм ...
Чип индуктивность многослойная неэкранированная 22нГн 5% 100МГц 8Q-Factor Ceramic 350мА 420мОм п...
Чип индуктивность многослойная неэкранированная 27нГн 5% 100МГц 8Q-Factor Ceramic 350мА 460мОм п...
Чип индуктивность многослойная неэкранированная 2нГн ±0.3нГн 100МГц 8Q-Factor Ceramic 900мА 90мОм по...
Чип индуктивность многослойная неэкранированная 2,2нГн ±0.3нГн 100МГц 8Q-Factor Ceramic 900мА 90мОм ...
Чип индуктивность многослойная неэкранированная 2,4нГн ±0.3нГн 100МГц 8Q-Factor Ceramic 850мА 0.11Ом...
Чип индуктивность многослойная неэкранированная 2.7нГн ±0.3нГн 100МГц 8Q-Factor Ceramic 800мА 120мОм...
Чип индуктивность многослойная неэкранированная 33нГн 5% 100МГц 8Q-Factor Ceramic 350мА 580мОм п...
Чип индуктивность многослойная неэкранированная 39нГн 5% 100МГц 8Q-Factor Ceramic 300мА 650мОм п...
Чип индуктивность многослойная неэкранированная 3нГн ±0.1нГн 100МГц 8Q-Factor Ceramic 800мА 125мОм п...
Чип индуктивность многослойная неэкранированная 3нГн ±0.3нГн 100МГц 8Q-Factor Ceramic 800мА 125мОм п...
Чип индуктивность многослойная неэкранированная 3,3нГн ±0.3нГн 100МГц 8Q-Factor Ceramic 800мА 125мОм...
Чип индуктивность многослойная неэкранированная 3,6нГн ±0.3нГн 100МГц 8Q-Factor Ceramic 750мА 140мОм...
Чип индуктивность многослойная неэкранированная 3.9нГн ±0.3нГн 100МГц 8Q-Factor Ceramic 750мА 140мОм...
Чип индуктивность многослойная неэкранированная 3.9нГн ±0.3нГн 100МГц 8Q-Factor Ceramic 750мА 140мОм...
Чип индуктивность многослойная неэкранированная 47нГн 5% 100МГц 8Q-Factor Ceramic 300мА 720мОм п...
Чип индуктивность многослойная неэкранированная 4.3нГн ±0.3нГн 100МГц 8Q-Factor Ceramic 750мА 140мОм...