
Силовые модули IGBT
325 позиций
IGBT Модуль 1200В, 300А, полумостовой
IGBT Модуль Half Bridge 1200В 450А, корпус 62мм
Артикул: 5536929
Производитель: Leapers Semiconductor
Год выпуска:
IGBT Модуль 1200В, 450А, полумостовой
Артикул: 5535957
Производитель: Leapers Semiconductor
Год выпуска:
IGBT Модуль 1700В, 450А, полумостовой
IGBT Модуль 1200В, 600А, полумостовой
IGBT Модуль 1700В, 600А, полумостовой
IGBT Модуль 1700В 600А полумостовой
Модуль силовой IGBT 6500В 250А
Силовой модуль 2-IGBT 1700В 1000А, PrimePACK 3
Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 100 А, 555 Вт
Силовой модуль 1700В 1200А single switch IHM B
Силовой модуль IGBT N-канальный 1200В 225А
Силовой модуль 2-IGBT 1200В 150А
Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 150 А, 790 Вт
Силовой модуль 2-IGBT 1700В 150А
Силовой модуль IGBT 1700В, 1800А, PrimePACK 3
Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 200 А, 1050Вт
Драйвер IGBT полумостовой 1200В 200А 1100Вт на винт
Биполярный транзистор IGBT, 1200В, 200А, 1100Вт
Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 300 А, 1450Вт
Биполярный транзистор IGBT, N-канальный, 1.2 кВ, 370 А