IGB50N60TATMA1 Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 90 А, 333 Вт
Цена от: 553.33 ₽
от 17 до 999 шт.
687.88/шт.
от 1000 до 1999 шт.
593.19/шт.
от 2000 шт.
553.33/шт.
Доступное количество - 3100 шт.
Характеристики
Артикул:
38218102
Производитель:
INF
Нормоупаковка - 1000.
Вес брутто - 1.35 г.
Корпус - D2Pak (TO-263).
Описание - Trans IGBT Chip N-CH 600V 90A 333000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R.
Вес брутто - 1.35 г.
Корпус - D2Pak (TO-263).
Описание - Trans IGBT Chip N-CH 600V 90A 333000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R.
Документация